關(guān)于半導(dǎo)體工藝這點(diǎn)你要知道（4）蝕刻工藝

大家好！這次是第4道工序！是蝕刻（Etching）工序，我們一起學(xué)習(xí)吧~

蝕刻（Etching）工序?.

還記得之前第3課光刻（PhotoLithography）工程中“照相~”的表達(dá)嗎？在這個(gè)蝕刻(Etching)過程中，我們將消除底圖中不必要的部分，即只保留電路圖案中必要的部分，而將不必要的部分削掉。更詳細(xì)地說，如果在光刻“PhotoLithography”工序中形成了光刻膠“PhotoResist”，那么在蝕刻工序中，就是使用液體或氣體（etchant）進(jìn)行腐蝕，消除多余部分的工作。（其中etchant是進(jìn)行腐蝕的物質(zhì)的統(tǒng)稱）這種蝕刻技術(shù)是制作銅版畫的美術(shù)中經(jīng)常使用的方法。19世紀(jì)畫家皮薩羅（CamillePissaro）和德加（EdgarDegas）也利用蝕刻制作了很多精致細(xì)致的線。Skylake-U Based Memory Tester (DRAM Test MB)?；葜菪酒瑴y試導(dǎo)電膠

什么是探針（又名Pogo針或彈簧探針）？

-Pogo Pins 的基本結(jié)構(gòu)是什么？

通用pogo銷由3個(gè)部分組成：桶、柱塞和彈簧。為了更好的穩(wěn)定性，Pogo引腳通常插入外殼中，但在許多情況下，這些引腳只是直接焊接在PCB上。通常，pogo銷的柱塞與一個(gè)金墊接觸，稱為“接觸墊”或“墊”，以關(guān)閉電路。桶焊接在PCB上或附有電線。與扁平彈簧連接器相比，Pogo引腳通常被認(rèn)為是更耐用的連接器類型，因?yàn)橐_不會劃傷接觸墊的表面。

什么是探針（又名Pogo針或彈簧探針）？惠州芯片測試導(dǎo)電膠DDR存儲器的優(yōu)點(diǎn)就是能夠同時(shí)在時(shí)鐘循環(huán)的上升和下降沿提取數(shù)據(jù)，從而把給定時(shí)鐘頻率的數(shù)據(jù)速率提高1倍。

關(guān)于半導(dǎo)體工藝（一）晶片工藝，這點(diǎn)你要知道：

2、晶片制造工藝

1）鑄錠(Ingot)硅是從沙子中提取的。要將其用作半導(dǎo)體材料，必須經(jīng)過精煉。是提高純度的過程。將高純度提純的硅（Si）溶液放入鑄件中旋轉(zhuǎn)，就形成了硅柱。我們稱之為鑄錠。可利用硅晶體生長技術(shù)Czochralski法或FloatingZone法等獲得該錠。處理數(shù)納米(nm)微細(xì)工藝的半導(dǎo)體用鑄錠，在硅鑄錠中也使用超高純度的鑄錠。

2）切割鑄錠（WaferSlicing）去除鑄錠末端，用金剛石鋸切割成厚度均勻的薄片（Wafer）。晶片的直徑?jīng)Q定了晶片的大小。在可以使用的程度上切割得越薄，制造費(fèi)用就越低，所以近切割得越來越薄。直徑的大小也變大是大勢所趨。這也是因?yàn)槊娣e越大，制造的半導(dǎo)體芯片就越多。

3）磨削晶片表面（Lapping,Polishing）通過1）,2）過程制成的晶片表面非常粗糙,有很多凹凸不平的瑕疵,因此在實(shí)際半導(dǎo)體工程中很難使用。因此,需要對表面進(jìn)行研磨,使其光滑。通過研磨液和研磨設(shè)備將晶片表面磨得光滑。

關(guān)于半導(dǎo)體工藝，這點(diǎn)你要知道：（2）氧化（Oxidation）工藝

3、除此之外，影響氧化膜生長速度的半導(dǎo)體尺寸越來越小，而氧化膜作為保護(hù)膜的作用是必要的，因此氧化膜的厚度是決定半導(dǎo)體尺寸的重要因素。因此，為了減小氧化膜的厚度，需要協(xié)調(diào)氧化過程中的各種變量。我們在第2節(jié)中討論過的濕法氧化，干法氧化也是其中變量的一種種類，除此之外，晶片的晶體結(jié)構(gòu)，Dummy Wafer（為了減少正面接觸氣體或稍后接觸氣體部分的氧化程度差異，可以利用Dummy Wafer作為晶片來調(diào)整氣體的均勻度）、摻雜濃度、表面缺陷、壓力、溫度和時(shí)間等因素都可能影響氧化膜的厚度。

和我一起來了解一下氧化膜的作用，氧化膜是如何形成的，以及這些氧化膜的形成速度受哪些東西的影響。半導(dǎo)體八大工序中的兩個(gè)工序已經(jīng)完成；下節(jié)我們將討論在半導(dǎo)體上制作電路圖案的蝕刻工藝。深圳市革恩半導(dǎo)體有限公司為專業(yè)從事存儲器件測試解決方案公司。

關(guān)于半導(dǎo)體工藝這點(diǎn)你要知道（4）蝕刻工藝

為什么要做好蝕刻（Etching）？！

2#蝕刻速率(Etch Rate)

蝕刻速率表示一段時(shí)間內(nèi)膜的去除量。等離子體態(tài)的原子和離子的數(shù)量，或者這些原子和離子所具有的能量，決定了蝕刻的快慢。當(dāng)然，如果量大，能量高，蝕刻速度就會增加。所以你可以調(diào)整這些數(shù)量和能量，以適應(yīng)合適的蝕刻速度。此外還有根據(jù)膜質(zhì)，將不同的蝕刻量按比例表示的選擇性(Selectivity)等考慮因素，所有這些細(xì)節(jié)都在蝕刻(Etching)工程組中進(jìn)行著很多努力，以更加精細(xì)的方式進(jìn)行。 大家對蝕刻（Etching）工序理解了嗎？等離子體，均勻度，蝕刻速度，下回見！深圳市革恩半導(dǎo)體有限公司與韓企對接合作十多年，業(yè)務(wù)領(lǐng)域及相關(guān)合作共贏。江蘇導(dǎo)電膠有哪些

關(guān)于半導(dǎo)體工藝這點(diǎn)你要知道 (5)擴(kuò)散(Diffusion) 工藝?；葜菪酒瑴y試導(dǎo)電膠

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